性能飞跃！AMD下代Zen6 CCD采用台积电2nm N2P：IOD为3nm N3P
AMD下一代Zen 6架构的性能D下锐龙处理器将将分别采用台积电2nm和3nm工艺制造CCD和IOD。
根据Kepler_L2最新透露，飞跃AMD下一代锐龙CPU将采用台积电N2P“2nm”工艺技术用于CCD（计算芯片），用台而IOD（输入/输出芯片）将采用台积电的积电N3P“3nm”工艺技术。
目前Zen 5架构的飞跃锐龙CPU的CCD采用4nm工艺，IOD则采用6nm工艺。用台
在Zen 6架构中，积电IOD将集成内存控制器、性能D下USB、飞跃PCIe等IO功能以及集成显卡；而CCD将包含Zen 6核心，用台每个CC包含12个核心、积电24个线程和48MB的性能D下L3缓存。
还有消息称，用台台积电N2P工艺将在2026年第三季度实现量产，这意味着最早可能在2026年第四季度或第三季度末看到基于Zen 6架构的下一代锐龙CPU。
而Intel的Nova Lake桌面CPU也将在类似的时间发布，不过与Intel不同的是，桌面CPU将继续支持现有的AM5平台。
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